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AOD450  与  IRFR220NPBF  区别

型号 AOD450 IRFR220NPBF
唯样编号 A36-AOD450 A-IRFR220NPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 6.8 mOhm 23 nC 43 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 7.2 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 700mΩ@10V 600mΩ@2.9A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 1.47 -
栅极电压Vgs 30V ±20V
Td(on)(ns) 6.3 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 3.8A 5A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 215 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 25V
Trr(ns) 59 -
Td(off)(ns) 10.5 -
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 25W 43W(Tc)
Qrr(nC) 142 -
VGS(th) 6 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
Coss(pF) 32 -
Qg*(nC) 3.82* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD450 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 200V 30V 3.8A 25W 700mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
IRFR220NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak

暂无价格 2,000 对比
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR220NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak

暂无价格 0 对比
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.2W(Ta) 750mΩ@2.75A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 200V 2.3A

暂无价格 0 对比

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