AOD444 与 TK8S06K3L(T6L1,NQ) 区别
| 型号 | AOD444 | TK8S06K3L(T6L1,NQ) | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AOD444 | A33-TK8S06K3L(T6L1,NQ)-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | AOS | Toshiba | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 8A DPAK | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Crss(pF) | 27 | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@12A,10V | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 85mΩ | - | ||||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||||
| Qgd(nC) | 1.9 | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 400 pF @ 10 V | ||||||||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||
| Td(on)(ns) | 4.2 | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 10 nC @ 10 V | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK+ | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | 8A(Ta) | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | 175°C(TJ) | ||||||||||||||
| Ciss(pF) | 450 | - | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||||||||||||||
| Trr(ns) | 27 | - | ||||||||||||||
| Td(off)(ns) | 16 | - | ||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60 V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 20W | 25W(Tc) | ||||||||||||||
| Qrr(nC) | 30 | - | ||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 54 毫欧 @ 4A,10V | ||||||||||||||
| VGS(th) | 3 | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| Coss(pF) | 61 | - | ||||||||||||||
| Qg*(nC) | 3.8 | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 4,051 | 174 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价(含税) |
|
|
||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
¥1.65
|
4,051 | 当前型号 | ||||||||||
|
STD16NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | ||||||||||
|
ZXMN6A25KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.11W(Ta) 50mΩ@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 60V 10.7A |
¥1.4735
|
7,594 | 对比 | ||||||||||
|
DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
¥1.551
|
6,580 | 对比 | ||||||||||
|
STD12NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
|
TK8S06K3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 25W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
¥6.2861
|
174 | 对比 |