首页 > 商品目录 > > > > AOD444代替型号比较

AOD444  与  IRFR024NTRPBF  区别

型号 AOD444 IRFR024NTRPBF
唯样编号 A36-AOD444 A-IRFR024NTRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 27 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@12A,10V 75mΩ@10A,10V
Rds On(Max)@4.5V 85mΩ -
Qgd(nC) 1.9 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) 4.2 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 12A 17A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 450 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 16 -
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 20W 45W(Tc)
Qrr(nC) 30 -
VGS(th) 3 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 370pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
Coss(pF) 61 -
Qg*(nC) 3.8 -
库存与单价
库存 4,310 2,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
1,250+ :  ¥1.0615
2,500+ :  ¥1.001
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55℃~175℃

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0615
2,500: ¥1.001
4,310 当前型号
STD16NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 30,000 对比
ZXMN6A25KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.11W(Ta) 50mΩ@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 60V 10.7A

¥1.6038 

阶梯数 价格
40: ¥1.6038
100: ¥1.2276
1,250: ¥1.0395
2,500: ¥0.8811
23,043 对比
STD12NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V

¥1.694 

阶梯数 价格
30: ¥1.694
100: ¥1.309
1,250: ¥1.1
2,500: ¥0.935
3,965 对比
IRFR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 45W(Tc) 75mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 17A 55V D-Pak

暂无价格 2,000 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售