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AOD424  与  IRLR6225PBF  区别

型号 AOD424 IRLR6225PBF
唯样编号 A36-AOD424 A-IRLR6225PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR6225PBF, 100 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 580 -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.4mΩ@20A,4.5V 5.2mΩ
Rds On(Max)@4.5V 5.7mΩ -
引脚数目 - 3
Qgd(nC) 12 -
最小栅阈值电压 - 0.5V
栅极电压Vgs ±12V -
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 TO-252 -
连续漏极电流Id 45A 100A
工作温度 -55℃~175℃ -50°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 3860 -
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3770pF @ 10V
高度 - 2.39mm
Trr(ns) 17 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 63 ns
Td(off)(ns) 70 -
漏源极电压Vds 20V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 100W 63W
Qrr(nC) 36 -
晶体管配置 -
VGS(th) 1.6 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 9.7 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 4.5V
Coss(pF) 740 -
Qg*(nC) 36 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 20V ±12V 45A 100W 4.4mΩ@20A,4.5V -55℃~175℃

暂无价格 0 当前型号
IRLR3717PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 89W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@15A,10V N-Channel 20V 120A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR3717TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 89W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@15A,10V N-Channel 20V 120A D-Pak

暂无价格 0 对比
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±12V 63W(Tc) -50°C~150°C(TJ) 4mΩ@21A,4.5V N-Channel 20V 100A D-Pak

暂无价格 0 对比
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-50°C~150°C(TJ) 100A 5.2mΩ 63W

暂无价格 0 对比
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N-Channel 20V 120A(Tc) ±20V 89W(Tc) 4mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比

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