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AOD4189  与  TJ20S04M3L(T6L1,NQ  区别

型号 AOD4189 TJ20S04M3L(T6L1,NQ
唯样编号 A36-AOD4189 A-TJ20S04M3L(T6L1,NQ
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 155 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@-12A,-10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 29mΩ -
产品状态 - 在售
Qgd(nC) 6.2 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1850 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 10 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 37 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 DPAK+
连续漏极电流Id -40A 20A(Ta)
工作温度 -55℃~175℃ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 1870 -
Vgs(最大值) - +10V,-20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 32 -
Td(off)(ns) 38 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -40V 40 V
Pd-功率耗散(Max) 62.5W 41W(Tc)
Qrr(nC) 30 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 22.2 毫欧 @ 10A,10V
VGS(th) -3 -
FET类型 P-Channel P-Channel
Coss(pF) 185 -
Qg*(nC) 7.9 -
库存与单价
库存 2,497 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥2.585
100+ :  ¥1.991
1,250+ :  ¥1.727
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD4189 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -40V ±20V -40A 62.5W 22mΩ@-12A,-10V -55℃~175℃

¥2.585 

阶梯数 价格
20: ¥2.585
100: ¥1.991
1,250: ¥1.727
2,497 当前型号
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 41W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 40 V 20A(Ta)

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