首页 > 商品目录 > > > > AOD4184A代替型号比较

AOD4184A  与  IPD75N04S406ATMA1  区别

型号 AOD4184A IPD75N04S406ATMA1
唯样编号 A36-AOD4184A A-IPD75N04S406ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 135 -
功率耗散(最大值) - 58W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 9.5mΩ -
Qgd(nC) 6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2550pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 6 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 50A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 1500 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.9 毫欧 @ 75A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 29 -
Td(off)(ns) 30 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qrr(nC) 26 -
VGS(th) 2.6 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 26uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 75A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
Coss(pF) 215 -
Qg*(nC) 14 -
库存与单价
库存 18,259 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.529
100+ :  ¥1.177
1,250+ :  ¥1.0252
2,500+ :  ¥0.968
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD4184A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 40V 20V 50A 50W 7mΩ@10V

¥1.529 

阶梯数 价格
40: ¥1.529
100: ¥1.177
1,250: ¥1.0252
2,500: ¥0.968
18,259 当前型号
AUIRFR4104 Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.5mΩ@42A,10V N-Channel 40V 119A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比
BUK7208-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7208-40B_SOT428 N-Channel 167W 185℃ 3V 40V 75A

暂无价格 0 对比
IPD75N04S406ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD75N04S4-06_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD75N04S4-06 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD75N04S406ATMA1_40V 75A 5.9mΩ N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFR4104PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) 5.5mΩ@42A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 40V 119A D-Pak

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售