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AOD4130  与  RSD221N06TL  区别

型号 AOD4130 RSD221N06TL
唯样编号 A36-AOD4130 A-RSD221N06TL
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 67 -
功率耗散(最大值) - 850mW(Ta),20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 30mΩ -
Qgd(nC) 7.2 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 10V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 TO-252 CPT3
连续漏极电流Id 30A -
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1582 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 26 毫欧 @ 22A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 22 Ohms -
Td(off)(ns) 33 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 52W -
Qrr(nC) 76 -
VGS(th) 2.8 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 22A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 13.4 -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 6 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD4130 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 6 当前型号
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
4,000: ¥4.4846
7,301 对比
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
2,500 对比
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

暂无价格 0 对比
IRFR1205TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

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