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AOD4126  与  IRLR2908PBF  区别

型号 AOD4126 IRLR2908PBF
唯样编号 A36-AOD4126 A-IRLR2908PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 80 V 110 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 55 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ@20A,10V 28mΩ@23A,10V
Rds On(Max)@4.5V 30mΩ -
Qgd(nC) 10 -
栅极电压Vgs ±25V ±16V
Td(on)(ns) 12 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 43A 39A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 1770 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
Trr(ns) 20 -
Td(off)(ns) 17 -
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 100W 120W(Tc)
Qrr(nC) 82 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
Coss(pF) 165 -
Qg*(nC) 28* -
库存与单价
库存 4,865 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥2.959
100+ :  ¥2.277
1,250+ :  ¥1.98
2,500+ :  ¥1.87
暂无价格
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