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AOD407  与  IRFR5505TRPBF  区别

型号 AOD407 IRFR5505TRPBF
唯样编号 A36-AOD407 A-IRFR5505TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 55 V 0.11 Ohm 32 nC 57 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 115mΩ@12A,10V 110mΩ@9.6A,10V
漏源极电压Vds -60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 50W 57W(Tc)
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id -12A 18A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 11,068 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.43
100+ :  ¥1.1
1,250+ :  ¥0.9559
2,500+ :  ¥0.902
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.1
1,250: ¥0.9559
2,500: ¥0.902
11,068 当前型号
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

¥2.409 

阶梯数 价格
30: ¥2.409
100: ¥1.848
1,250: ¥1.617
2,500: ¥1.54
20,276 对比
ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 2.11W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 4.4A(Ta)

¥2.2253 

阶梯数 价格
30: ¥2.2253
100: ¥1.7111
1,250: ¥1.4867
2,500: ¥1.4306
7,336 对比
IRFR5505TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 57W(Tc) 110mΩ@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 18A 55V D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR9343TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 79W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V P-Channel 55V 20A D-PAK(TO-252AA)

暂无价格 0 对比
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

暂无价格 0 对比

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