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AOD407  与  TJ8S06M3L(T6L1,NQ)  区别

型号 AOD407 TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
唯样编号 A36-AOD407-1 A33-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)-1
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 115mΩ@12A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 50W 27W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 104 毫欧 @ 4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 890 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 19 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 DPAK+
连续漏极电流Id -12A 8A(Ta)
工作温度 -55°C~175°C 175°C(TJ)
Vgs(最大值) - +10V,-20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
库存与单价
库存 91 1,095
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9595
40+ :  ¥4.9542
50+ :  ¥4.2355
100+ :  ¥3.6318
300+ :  ¥3.2389
500+ :  ¥3.1527
1,000+ :  ¥3.0952
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥0.9595 

阶梯数 价格
60: ¥0.9595
91 当前型号
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK

¥2.189 

阶梯数 价格
30: ¥2.189
100: ¥1.694
1,250: ¥1.463
2,500: ¥1.408
13,000 对比
ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 2.11W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 4.4A(Ta)

¥2.1879 

阶梯数 价格
30: ¥2.1879
100: ¥1.683
1,250: ¥1.468
2,500: ¥1.3932
7,336 对比
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 27W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta)

¥4.9542 

阶梯数 价格
40: ¥4.9542
50: ¥4.2355
100: ¥3.6318
300: ¥3.2389
500: ¥3.1527
1,000: ¥3.0952
1,095 对比
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 14A

¥1.914 

阶梯数 价格
30: ¥1.914
100: ¥1.474
174 对比
IRFR5505TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 57W(Tc) 110mΩ@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 18A 55V D-Pak

暂无价格 0 对比

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