AOD407 与 IRFR5505TRPBF 区别
| 型号 | AOD407 | IRFR5505TRPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AOD407-1 | A-IRFR5505TRPBF | ||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single P-Channel 55 V 0.11 Ohm 32 nC 57 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 115mΩ@12A,10V | 110mΩ@9.6A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | -60V | 55V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 50W | 57W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak | ||
| 连续漏极电流Id | -12A | 18A | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 650pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 32nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 91 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥0.9595
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91 | 当前型号 | ||||||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
￥2.189
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13,000 | 对比 | ||||||||||||||
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ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 2.11W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 4.4A(Ta) |
￥2.1879
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7,336 | 对比 | ||||||||||||||
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 27W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
￥4.9542
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1,095 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP6180SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 14A |
￥1.914
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174 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFR5505TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 57W(Tc) 110mΩ@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 18A 55V D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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