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AOD3N50  与  SPD02N50C3  区别

型号 AOD3N50 SPD02N50C3
唯样编号 A36-AOD3N50 A-SPD02N50C3
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.6 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3000mΩ@10V 3Ω@1.1A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 2.7 -
栅极电压Vgs 30V ±20V
Td(on)(ns) 11 -
封装/外壳 TO-252 PG-TO252-3
连续漏极电流Id 2.8A 1.8A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 276 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 80µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 190pF @ 25V
Trr(ns) 134 -
Td(off)(ns) 20.5 -
漏源极电压Vds 500V 560V
Pd-功率耗散(Max) 57W 25W(Tc)
Qrr(nC) 890 -
VGS(th) 4.7 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 10V
Coss(pF) 31.4 -
Qg*(nC) 6.7 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD3N50 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 500V 30V 2.8A 57W 3000mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STD3NK50ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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SPD02N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IPD50R3K0CEAUMA1_500V 2.6A 2.7Ω 20V 26W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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