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AOD2922  与  AUIRLR3410  区别

型号 AOD2922 AUIRLR3410
唯样编号 A36-AOD2922 A-AUIRLR3410
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR3410, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.5 -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 140mΩ@10V 155mΩ
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 176mΩ -
产品特性 - 车规
引脚数目 - 3
Qgd(nC) 0.8 -
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs 20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 TO-252 -
连续漏极电流Id 7A 17A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 250 -
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF
高度 - 2.39mm
Trr(ns) 19 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 30 ns
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds 100V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 17W 79W
Qrr(nC) 52 -
晶体管配置 -
VGS(th) 2.7 -
FET类型 N-Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 7.2 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC
Coss(pF) 19 -
Qg*(nC) 1.8 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 12A(Tc)

¥1.452 

阶梯数 价格
40: ¥1.452
100: ¥1.122
1,250: ¥0.9504
2,235 对比
AUIRLR3410TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 17A 105mΩ 16V 79W N-Channel 100V 车规

暂无价格 0 对比
AOD498 AOS  数据手册 功率MOSFET

2.5A(Ta),11A(Tc) N-Channel ±20V 140 mΩ @ 4.5A,10V TO-252,(D-Pak) 2.1W(Ta),45W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
AUIRLR3410TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比
AUIRLR3410 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 17A 155mΩ 79W 车规

暂无价格 0 对比

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