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AOD2910E  与  IRLR2908PBF  区别

型号 AOD2910E IRLR2908PBF
唯样编号 A36-AOD2910E A-IRLR2908PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 80 V 110 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 6.3 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@20A,10V 28mΩ@23A,10V
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 33mΩ -
Qgd(nC) 2.5 -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 37A 39A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 1200 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
Trr(ns) 25 -
Td(off)(ns) 20 -
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 71.5W 120W(Tc)
Qrr(nC) 120 -
VGS(th) 2.7 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
Coss(pF) 93 -
Qg*(nC) 8 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2910E AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 37A 71.5W 23mΩ@20A,10V -55℃~175℃

暂无价格 0 当前型号
IRLR2908PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 120W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 28mΩ@23A,10V N-Channel 80V 39A D-Pak

暂无价格 0 对比
DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 100V 55A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比
DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 100V 55A(Tc)

暂无价格 0 对比
AOD4124 AOS 功率MOSFET

7.5A(Ta),54A(Tc) N-Channel ±25V 21 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 3.1W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
AOD4124 AOS 功率MOSFET

7.5A(Ta),54A(Tc) N-Channel ±25V 21 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 3.1W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比

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