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AOD256  与  FDD770N15A  区别

型号 AOD256 FDD770N15A
唯样编号 A36-AOD256 A3-FDD770N15A
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 FDD770N15A Series 150 V 18 A 77 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.5 -
功率 - 56.8W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 85mΩ@10V 77 毫欧 @ 12A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 100mΩ -
Qgd(nC) 1.2 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 6.5 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 19A 18A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1165 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 765pF @ 75V
Trr(ns) 37 -
Td(off)(ns) 23 -
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 83W 56.8W(Tc)
Qrr(nC) 265 -
VGS(th) 2.8 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 765pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 10V
Coss(pF) 61.5 -
Qg*(nC) 7 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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