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AOD11S60  与  IPD60R380C6  区别

型号 AOD11S60 IPD60R380C6
唯样编号 A36-AOD11S60 A32-IPD60R380C6
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.42 -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 399mΩ@10V 380mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 10ns
Qg-栅极电荷 - 32nC
Qgd(nC) 3.8 -
栅极电压Vgs 30V 10V
Td(on)(ns) 20 -
封装/外壳 TO-252 -
连续漏极电流Id 11A 10.6A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 545 -
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 9ns
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 320µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 100V
高度 - 2.3mm
Trr(ns) 250 -
Td(off)(ns) 59 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 208W 83W
Qrr(nC) 3300 -
VGS(th) 4.1 -
典型关闭延迟时间 - 110ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - XPD60R380
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
Coss(pF) 37.3 -
Qg*(nC) 11* -
库存与单价
库存 57 579
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
7+ :  ¥8.052
1+ :  ¥8.6527
25+ :  ¥8.0116
100+ :  ¥7.4182
购买数量

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1: ¥8.6527
25: ¥8.0116
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