AOD11S60 与 STD13N60M2 区别
| 型号 | AOD11S60 | STD13N60M2 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AOD11S60 | A3-STD13N60M2 | ||
| 制造商 | AOS | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | 1.42 | - | ||
| Td(off)(ns) | 59 | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 399mΩ@10V | - | ||
| ESD Diode | No | - | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 208W | - | ||
| Qrr(nC) | 3300 | - | ||
| VGS(th) | 4.1 | - | ||
| Qgd(nC) | 3.8 | - | ||
| 栅极电压Vgs | 30V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| Td(on)(ns) | 20 | - | ||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3 | ||
| 连续漏极电流Id | 11A | - | ||
| Ciss(pF) | 545 | - | ||
| Schottky Diode | No | - | ||
| Trr(ns) | 250 | - | ||
| Coss(pF) | 37.3 | - | ||
| Qg*(nC) | 11* | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 45 | 37,500 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 5 - 7天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
￥3.0294
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45 | 当前型号 | ||||||
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STD13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 37,500 | 对比 | ||||||
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STD16N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||
|
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STD13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥3.025
|
1,133 | 对比 | ||||||
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IPD80R360P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
360mΩ 800V 13A DPAK (TO-252) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||
|
|
STD13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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