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AOD11S60  与  IPD80R360P7  区别

型号 AOD11S60 IPD80R360P7
唯样编号 A36-AOD11S60 A-IPD80R360P7
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.42 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 399mΩ@10V 360mΩ
ESD Diode No -
Rth - 1.5K/W
Qgd(nC) 3.8 -
栅极电压Vgs 30V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
Td(on)(ns) 20 -
封装/外壳 TO-252 DPAK (TO-252)
连续漏极电流Id 11A 13A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 545 -
Ptot max - 84.0W
QG - 30.0nC
Schottky Diode No -
Trr(ns) 250 -
Td(off)(ns) 59 -
漏源极电压Vds 600V 800V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 208W -
Qrr(nC) 3300 -
VGS(th) 4.1 -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 13.0nC
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
Coss(pF) 37.3 -
Qg*(nC) 11* -
库存与单价
库存 57 20
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
7+ :  ¥8.052
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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