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AOD11S60  与  IPD60R380P6ATMA1  区别

型号 AOD11S60 IPD60R380P6ATMA1
唯样编号 A36-AOD11S60 A-IPD60R380P6ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.42 -
功率耗散(最大值) - 83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 399mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 3.8 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 877pF @ 100V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 20 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 11A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 545 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 380 毫欧 @ 3.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 250 -
Td(off)(ns) 59 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 208W -
Qrr(nC) 3300 -
VGS(th) 4.1 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 320uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 10.6A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
Coss(pF) 37.3 -
Qg*(nC) 11* -
库存与单价
库存 28 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
8+ :  ¥6.809
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD11S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V

¥6.809 

阶梯数 价格
8: ¥6.809
28 当前型号
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 20,000 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥2.7324 

阶梯数 价格
20: ¥2.7324
100: ¥2.2671
1,250: ¥2.0691
2,500: ¥1.98
5,343 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
TK12P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 11.5A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R380P6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380P6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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