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AOD11S60  与  FCD380N60E  区别

型号 AOD11S60 FCD380N60E
唯样编号 A36-AOD11S60 A-FCD380N60E
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 600 V 380 mO Surface Mount SuperFET II Easy Drive Mosfet -TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.42 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 399mΩ@10V 380m Ohms@5A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 3.8 -
栅极电压Vgs 30V ±20V
Td(on)(ns) 20 -
封装/外壳 TO-252 TO-252AA
连续漏极电流Id 11A 10.2A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 545 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 250 -
Td(off)(ns) 59 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 208W 106W(Tc)
Qrr(nC) 3300 -
VGS(th) 4.1 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - SuperFET® II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1770pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
Coss(pF) 37.3 -
Qg*(nC) 11* -
库存与单价
库存 57 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.049
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD11S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V

¥5.049 

阶梯数 价格
10: ¥5.049
57 当前型号
STD16N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.036 

阶梯数 价格
20: ¥3.036
100: ¥2.519
1,250: ¥2.299
2,500: ¥2.2
4,085 对比
IPD80R360P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R360P7ATMA1_360mΩ 800V 13A DPAK (TO-252) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 20 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
FCD380N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

10.2A(Tc) ±20V 106W(Tc) 380m Ohms@5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 10.2A TO-252AA

暂无价格 0 对比

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