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AOB266L  与  IPB034N06L3GATMA1  区别

型号 AOB266L IPB034N06L3GATMA1
唯样编号 A36-AOB266L A-IPB034N06L3GATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
功率耗散(最大值) - 167W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 3.8mΩ -
Qgd(nC) 7 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 13000pF @ 30V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 140A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 79nC @ 4.5V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 5650 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.4 毫欧 @ 90A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 36 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 268W -
Qrr(nC) 145 -
VGS(th) 3.2 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 93uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 90A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
Coss(pF) 720 -
Qg*(nC) 65* -
库存与单价
库存 384 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
5+ :  ¥11.583
100+ :  ¥9.823
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