首页 > 商品目录 > > > > AOB266L代替型号比较

AOB266L  与  DMTH6004SCTB-13  区别

型号 AOB266L DMTH6004SCTB-13
唯样编号 A36-AOB266L A-DMTH6004SCTB-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 3.8mΩ -
Qgd(nC) 7 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4556 pF @ 30 V
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 21 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 95.4 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-263 TO-263
连续漏极电流Id 140A 100A(Tc)
工作温度 - -55℃~175℃(TJ)
Ciss(pF) 5650 -
Schottky Diode No -
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 36 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 268W 4.7W(Ta),136W(Tc)
Qrr(nC) 145 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.4mΩ@100A,10V
VGS(th) 3.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
驱动电压 - 10V
Coss(pF) 720 -
Qg*(nC) 65* -
库存与单价
库存 188 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.159
100+ :  ¥4.125
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
100: ¥4.125
188 当前型号
PSMN004-60B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN004-60B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 60V 75A

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 对比
PSMN3R0-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 100A

¥13.2728 

阶梯数 价格
210: ¥13.2728
400: ¥11.2481
800: ¥10.3194
0 对比
DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 4.7W(Ta),136W(Tc) ±20V TO-263 -55℃~175℃(TJ) 60V 100A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPB034N06L3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB034N06L3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB120N06S4-03 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB120N06S403ATMA2_2.8mΩ 60V 120A D2PAK (TO-263) N-Channel 2V,4V 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售