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AOB266L  与  DMTH6004SCTB-13  区别

型号 AOB266L DMTH6004SCTB-13
唯样编号 A36-AOB266L A-DMTH6004SCTB-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 3.8mΩ -
Qgd(nC) 7 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4556 pF @ 30 V
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 21 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 95.4 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-263 TO-263
连续漏极电流Id 140A 100A(Tc)
工作温度 - -55℃~175℃(TJ)
Ciss(pF) 5650 -
Schottky Diode No -
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 36 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 268W 4.7W(Ta),136W(Tc)
Qrr(nC) 145 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.4mΩ@100A,10V
VGS(th) 3.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
驱动电压 - 10V
Coss(pF) 720 -
Qg*(nC) 65* -
库存与单价
库存 384 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
5+ :  ¥11.583
100+ :  ¥9.823
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