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AOB266L  与  AUIRFS3206  区别

型号 AOB266L AUIRFS3206
唯样编号 A36-AOB266L A-AUIRFS3206
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3206, 120 A,210 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V 3mΩ
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 3.8mΩ -
产品特性 - 车规
引脚数目 - 3
Qgd(nC) 7 -
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-263 -
连续漏极电流Id 140A 120A,210A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 5650 -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
高度 - 4.83mm
Trr(ns) 27 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 55 ns
Td(off)(ns) 36 -
漏源极电压Vds 60V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 268W 300W
Qrr(nC) 145 -
晶体管配置 -
VGS(th) 3.2 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 19 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
Coss(pF) 720 -
Qg*(nC) 65* -
库存与单价
库存 314 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.159
100+ :  ¥4.125
暂无价格
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