首页 > 商品目录 > > > > AOB240L代替型号比较

AOB240L  与  IPB80N04S403ATMA1  区别

型号 AOB240L IPB80N04S403ATMA1
唯样编号 A36-AOB240L A-IPB80N04S403ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 68 -
功率耗散(最大值) - 94W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.6mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 3.5mΩ -
Qgd(nC) 7 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5260pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 11 -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 105A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 3510 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.3 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 21 -
Td(off)(ns) 38 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 176W -
Qrr(nC) 58 -
VGS(th) 2.2 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 53uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
Coss(pF) 1070 -
Qg*(nC) 22 Ohms -
库存与单价
库存 702 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.598
100+ :  ¥3.674
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB240L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥4.598 

阶梯数 价格
20: ¥4.598
100: ¥3.674
702 当前型号
BUK763R6-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R6-40C_SOT404

¥19.0073 

阶梯数 价格
1: ¥19.0073
100: ¥14.0795
400: ¥10.8304
800: ¥9.5844
350 对比
PSMN2R8-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-40BS_SOT404

暂无价格 220 对比
IRL40S212 Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB80N04S403ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N04S4-03_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
AUIRF1404ZS Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售