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AO8814  与  DMN2016UTS-13  区别

型号 AO8814 DMN2016UTS-13
唯样编号 A36-AO8814 A-DMN2016UTS-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP Dual N-Channel 20 V 14.5 mOhm Enhancement Mode Mosfet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 150 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@7.5A,10V 16.5mΩ
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@1.8V 34mΩ -
上升时间 - 11.66ns
Rds On(Max)@4.5V 18mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 24mΩ -
Qgd(nC) 4 -
栅极电压Vgs ±12V 8V
Td(on)(ns) 6.2 -
封装/外壳 TSSOP-8 TSSOP
连续漏极电流Id 7.5A 8.58A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1390 -
配置 - Dual
下降时间 - 16.27ns
Trr(ns) 15 -
Td(off)(ns) 40.5 -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W 880mW
Qrr(nC) 5.1 Ohms -
VGS(th) 1 Ohms -
典型关闭延迟时间 - 59.38ns
FET类型 N-Channel -
系列 - DMN2016
通道数量 - 2Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1495pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16.5nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 10.39ns
Coss(pF) 190 -
Qg*(nC) 15.4 -
库存与单价
库存 1,228 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.562
100+ :  ¥1.199
750+ :  ¥1.0021
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO8814 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSSOP-8 N-Channel 20V ±12V 7.5A 1.5W 16mΩ@7.5A,10V -55℃~150℃

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.199
750: ¥1.0021
1,228 当前型号
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-55°C~150°C(TJ) TSSOP 8.58A 880mW 16.5mΩ 20V 8V

¥1.375 

阶梯数 价格
40: ¥1.375
40 对比
DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSSOP 8.58A 880mW 16.5mΩ 20V 8V

暂无价格 0 对比
DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSSOP 8.58A 880mW 16.5mΩ 20V 8V

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暂无价格 0 对比

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