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AO6601  与  DMG6602SVT-7  区别

型号 AO6601 DMG6602SVT-7
唯样编号 A36-AO6601 A3-DMG6602SVT-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.4A,10V 60mΩ@3.1A,10V
正向跨导-最小值 - 4 S
上升时间 - 5 ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.15W 840mW
Qg-栅极电荷 - 9 nC
栅极电压Vgs 12V 20V
典型关闭延迟时间 - 13 ns
FET类型 N-Channel N+P-Channel
封装/外壳 TSOP-6 TSOT-23
连续漏极电流Id 3.4A 3.4A,2.8A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMG
通道数量 - 2 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 400pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 3 ns
库存与单价
库存 3,994 55,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6391
200+ :  ¥0.52
1,500+ :  ¥0.4732
3,000+ :  ¥0.442
暂无价格
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