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AO6601  与  DMG6601LVT-7  区别

型号 AO6601 DMG6601LVT-7
唯样编号 A36-AO6601 A3-DMG6601LVT-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N & P-Channel 30 V 110 mO Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.4A,10V 55mΩ,110mΩ
上升时间 - 7.4ns,4.6ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.15W 1.3W
Qg-栅极电荷 - 12.3nC,13.8nC
栅极电压Vgs 12V 500mV,400mV
典型关闭延迟时间 - 31.2ns,18.3ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TSOP-6 TSOT-26
连续漏极电流Id 3.4A 3.8A,2.5A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMG6601
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 422pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12.3nC @ 10V
下降时间 - 15.6ns,2.2ns
典型接通延迟时间 - 1.6ns,1.7ns
库存与单价
库存 3,994 38,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6391
200+ :  ¥0.52
1,500+ :  ¥0.4732
3,000+ :  ¥0.442
暂无价格
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