AO6402A 与 RSQ020N03TR 区别
| 型号 | AO6402A | RSQ020N03TR | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AO6402A | A3-RSQ020N03TR | ||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 27mΩ@7A,10V | 134mΩ@2A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 600mW(Ta) | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TSOP-6 | SOT-23-6,TSOT-23-6 | ||||
| 连续漏极电流Id | 7.5A | 2A(Ta) | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4V,10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 110pF @ 10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 3.1nC @ 5V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 972 | 200 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
¥0.7513
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972 | 当前型号 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
¥1.0829
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2,275 | 对比 | ||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
¥0.8851
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1,100 | 对比 | |||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
¥2.4244
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983 | 对比 | ||||||||||
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NTGS4141NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23-6 |
¥1.551
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629 | 对比 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 200 | 对比 |