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AO6401A  与  RSQ035P03TR  区别

型号 AO6401A RSQ035P03TR
唯样编号 A36-AO6401A A-RSQ035P03TR
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 55 -
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 47mΩ@-5A,-10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 64mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 85mΩ -
Qgd(nC) 2.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 780pF @ 10V
栅极电压Vgs ±12V -
Td(on)(ns) 6.5 -
封装/外壳 TSOP-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id -5A -
工作温度 -55℃~150℃ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 645 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 11 -
Td(off)(ns) 41 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
Qrr(nC) 3.5 -
VGS(th) -1.3 -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 80 -
Qg*(nC) 7 -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 5V
库存与单价
库存 4 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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