AO4842 与 IRF7303TRPBF 区别
| 型号 | AO4842 | IRF7303TRPBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AO4842 | A-IRF7303TRPBF | ||||||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | 41 | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21mΩ@10V | 50mΩ@2.4A,10V | ||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 30mΩ | - | ||||||
| Qgd(nC) | 1.7 | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||||
| Td(on)(ns) | 4.5 | - | ||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO | ||||||
| 连续漏极电流Id | 7.7A | 4.9A | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| Ciss(pF) | 373 | - | ||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 520pF @ 25V | ||||||
| Trr(ns) | 10.5 | - | ||||||
| Td(off)(ns) | 14.9 | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 2W | ||||||
| Qrr(nC) | 4.5 | - | ||||||
| VGS(th) | 2.6 | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 520pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V | ||||||
| Coss(pF) | 67 | - | ||||||
| Qg*(nC) | 3.5 | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,263 | 4,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.0076
|
2,263 | 当前型号 | ||||||||||||||
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NTMD4N03R2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
暂无价格 | 37,500 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel |
￥1.991
|
2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥5.4908
|
1,990 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥5.4908
|
1,452 | 对比 |
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