首页 > 商品目录 > > > > AO4832代替型号比较

AO4832  与  DMN3015LSD-13  区别

型号 AO4832 DMN3015LSD-13
唯样编号 A36-AO4832 A36-DMN3015LSD-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10A,10V 15mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.2W
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 SO-8 SO
连续漏极电流Id 10A 8.4A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMN3015
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1415pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25.1nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,080
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.804
100+ :  ¥1.397
1,250+ :  ¥1.21
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4832 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 2W 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.1
1,250: ¥0.9328
2,500: ¥0.8635
25,291 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel

¥1.804 

阶梯数 价格
30: ¥1.804
100: ¥1.397
1,250: ¥1.21
2,080 对比
DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

¥1.914 

阶梯数 价格
30: ¥1.914
100: ¥1.474
1,250: ¥1.276
1,910 对比
DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

暂无价格 0 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售