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AO4832  与  DMG4800LSDQ-13  区别

型号 AO4832 DMG4800LSDQ-13
唯样编号 A36-AO4832 A36-DMG4800LSDQ-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SO-8 -
连续漏极电流Id 10A -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2W -
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 1,910
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.914
100+ :  ¥1.474
1,250+ :  ¥1.276
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4832 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 2W 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.1
1,250: ¥0.9328
2,500: ¥0.8635
25,291 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel

¥1.804 

阶梯数 价格
30: ¥1.804
100: ¥1.397
1,250: ¥1.21
2,080 对比
DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

¥1.914 

阶梯数 价格
30: ¥1.914
100: ¥1.474
1,250: ¥1.276
1,910 对比
DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

暂无价格 0 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel

暂无价格 0 对比

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