AO4832 与 DMG4800LSDQ-13 区别
| 型号 | AO4832 | DMG4800LSDQ-13 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-AO4832 | A36-DMG4800LSDQ-13 | ||||||||||||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | - | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W | - | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A | - | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 13mΩ@10A,10V | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 2,980 | 2,500 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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AO4832 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 2W 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥2.256
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2,980 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
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DMG4800LSDQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 |
￥3.468
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
暂无价格 | 23 | 对比 | ||||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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