AO4822A 与 DMN3033LSD-13 区别
| 型号 | AO4822A | DMN3033LSD-13 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-AO4822A | A36-DMN3033LSD-13 | ||||||||||||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A | 6.9A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19mΩ@8A,10V | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | - | ||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 20mΩ@6.9A,10V | ||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 725pF @ 15V | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 13nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 1,822 | 4,756 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.991
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1,822 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A |
￥1.2062
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4,756 | 对比 | ||||||||||
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DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel |
￥1.991
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥1.408
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89 | 对比 | |||||||||||
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IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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