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AO4805  与  SH8J66TB1  区别

型号 AO4805 SH8J66TB1
唯样编号 A36-AO4805 A33-SH8J66TB1
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 -30v,9a,18.5mohms,so-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 295 -
Td(off)(ns) 24 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@10V 18.5mΩ@9A,10V
ESD Diode No -
漏源极电压Vds -30V 4V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) 22 Ohms -
VGS(th) -2.8 -
Qgd(nC) 10 -
栅极电压Vgs 25V -
FET类型 P-Channel -
Td(on)(ns) 11 -
封装/外壳 SO-8 8-SOP
连续漏极电流Id -9A 9A
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 2060 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3000pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 5V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 30 -
Coss(pF) 370 -
Qg*(nC) 30* -
库存与单价
库存 29,166 1,511
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥2.574
100+ :  ¥2.068
750+ :  ¥1.837
1,500+ :  ¥1.738
3,000+ :  ¥1.65
20+ :  ¥11.5277
50+ :  ¥8.2601
100+ :  ¥7.6564
300+ :  ¥7.2635
500+ :  ¥7.1868
1,000+ :  ¥7.1198
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4805 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 25V -9A 2W 18mΩ@10V

¥2.574 

阶梯数 价格
20: ¥2.574
100: ¥2.068
750: ¥1.837
1,500: ¥1.738
3,000: ¥1.65
29,166 当前型号
FDS4935BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC

暂无价格 22,500 对比
DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@9A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 10.6A

¥2.409 

阶梯数 价格
30: ¥2.409
100: ¥1.848
1,250: ¥1.617
2,500: ¥1.54
4,212 对比
SH8J66TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V

¥11.5277 

阶梯数 价格
20: ¥11.5277
50: ¥8.2601
100: ¥7.6564
300: ¥7.2635
500: ¥7.1868
1,000: ¥7.1198
2,000: ¥7.091
2,092 对比
SH8J66TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V

¥11.5277 

阶梯数 价格
20: ¥11.5277
50: ¥8.2601
100: ¥7.6564
300: ¥7.2635
500: ¥7.1868
1,000: ¥7.1198
1,511 对比
SH8J66TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V

暂无价格 200 对比

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