| 型号 | AO4805 | FDS4935BZ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AO4805 | A3-FDS4935BZ | ||||||||||
| 制造商 | AOS | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | 295 | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@10V | 22m Ohms@6.9A,10V | ||||||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||||||
| Qgd(nC) | 10 | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 25V | - | ||||||||||
| Td(on)(ns) | 11 | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SOIC | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | -9A | 6.9A | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| Ciss(pF) | 2060 | - | ||||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||||
| Trr(ns) | 30 | - | ||||||||||
| Td(off)(ns) | 24 | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | -30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 900mW | ||||||||||
| Qrr(nC) | 22 Ohms | - | ||||||||||
| VGS(th) | -2.8 | - | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 系列 | - | PowerTrench® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1360pF @ 15V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 40nC @ 10V | ||||||||||
| Coss(pF) | 370 | - | ||||||||||
| Qg*(nC) | 30* | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 29,166 | 22,500 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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AO4805 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 25V -9A 2W 18mΩ@10V |
￥2.574
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29,166 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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FDS4935BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 22,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMP3036SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@9A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 10.6A |
￥2.409
|
4,212 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
￥11.5277
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2,092 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
￥11.5277
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1,511 | 对比 | ||||||||||||||||
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|
SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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