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AO4629  与  IRF7389TRPBF  区别

型号 AO4629 IRF7389TRPBF
唯样编号 A36-AO4629 A-IRF7389TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N/P-Channel 30/30 V 2.5 W 22/23 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount-SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 35 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@6A,10V 29mΩ@5.8A,10V
Rds On(Max)@4.5V 42mΩ -
Qgd(nC) 1.3 -
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 4.5 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 6A 7.3A,5.3A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 250 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
Trr(ns) 8.5 -
Td(off)(ns) 14.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.5W
Qrr(nC) 2.2 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N+P-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 10V
Coss(pF) 45 -
Qg*(nC) 2.55 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4629 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 6A 2W 30mΩ@6A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 当前型号
DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

28mΩ@6A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 7.1A,7.4A

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.265
1,250: ¥1.111
2,500: ¥1.045
4,180 对比
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 8.1A,7A

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.254
790 对比
DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

28mΩ@6A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 7.1A,7.4A

暂无价格 43 对比
IRF7389TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5.8A,10V 2.5W N+P-Channel 30V 7.3A,5.3A 8-SO

暂无价格 0 对比

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