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AO4620  与  IRF9389PBF  区别

型号 AO4620 IRF9389PBF
唯样编号 A36-AO4620 A-IRF9389PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 41 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 36mΩ -
Qgd(nC) 1.7 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 398pF @ 15V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 4.5 -
封装/外壳 SO-8 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id 7.2A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 373 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 27 毫欧 @ 6.8A,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 10.5 -
Td(off)(ns) 14.9 -
漏源极电压Vds 30V -
功率-最大值 - 2W
Pd-功率耗散(Max) 2W -
Qrr(nC) 4.5 -
VGS(th) 2.6 -
FET类型 N-Channel N+P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 10uA
FET功能 - 逻辑电平门
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6.8A,4.6A
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 67 -
Qg*(nC) 3.5 -
库存与单价
库存 1,884 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.8448
200+ :  ¥0.583
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4620 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 7.2A 2W 24mΩ@10V

¥0.8448 

阶梯数 价格
60: ¥0.8448
200: ¥0.583
1,884 当前型号
DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

28mΩ@6A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 7.1A,7.4A

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.265
1,250: ¥1.111
2,500: ¥1.045
4,180 对比
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 8.1A,7A

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.254
790 对比
DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

28mΩ@6A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 7.1A,7.4A

¥1.485 

阶梯数 价格
40: ¥1.485
54 对比
DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

28mΩ@6A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 7.1A,7.4A

暂无价格 0 对比
IRF9389PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N+P-Channel 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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