AO4612 与 IRF7343PBF 区别
| 型号 | AO4612 | IRF7343PBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AO4612 | A-IRF7343PBF | ||||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Double HexFet -55/55 V 2 W 36/38 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 56mΩ@4.5A,10V | 50mΩ@4.7A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 2W | ||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N+P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO | ||||
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 4.7A,3.4A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 740pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 740pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 489 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4612 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V 20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
￥2.926
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489 | 当前型号 | ||||||
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IRF7343TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@4.7A,10V 2W N+P-Channel 55V 4.7A,3.4A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7343PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@4.7A,10V 2W N+P-Channel 55V 4.7A,3.4A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
DMC6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.1A,3.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
DMC6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.1A,3.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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