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AO4566  与  IRF8714TRPBF  区别

型号 AO4566 IRF8714TRPBF
唯样编号 A36-AO4566 A36-IRF8714TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 31 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ@10V 8.7mΩ@14A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 17mΩ -
Qgd(nC) 1.7 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 4 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 12A 14A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 542 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1020pF @ 15V
Trr(ns) 9.7 -
Td(off)(ns) 18 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 11.5 -
VGS(th) 2.3 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1020pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 4.5V
Coss(pF) 233 -
Qg*(nC) 4.3 -
库存与单价
库存 2,890 4,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6699
200+ :  ¥0.546
1,500+ :  ¥0.4966
30+ :  ¥2.475
100+ :  ¥1.991
1,000+ :  ¥1.76
2,000+ :  ¥1.661
4,000+ :  ¥1.595
购买数量

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¥2.475 

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30: ¥2.475
100: ¥1.991
1,000: ¥1.76
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0 对比

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