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AO4496  与  DMG4466SSS-13  区别

型号 AO4496 DMG4466SSS-13
唯样编号 A36-AO4496 A36-DMG4466SSS-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 55 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 19.5mΩ@10A,10V 33mΩ
上升时间 - 7.9ns
Rds On(Max)@4.5V 26mΩ -
Qgd(nC) 2.2 -
栅极电压Vgs ±20V 25V
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 SO-8 SO
连续漏极电流Id 10A 10A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 550 -
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 3.1ns
Trr(ns) 22 Ohms -
Td(off)(ns) 24 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 1.42W
Qrr(nC) 14 -
VGS(th) 2.5 -
典型关闭延迟时间 - 14.6ns
FET类型 N-Channel -
系列 - DMG4466
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 478.9pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 2.9ns
Coss(pF) 110 -
Qg*(nC) 4.6 -
库存与单价
库存 0 393
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.111
100+ :  ¥0.7381
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 当前型号
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.243 

阶梯数 价格
50: ¥1.243
100: ¥0.9526
1,250: ¥0.8063
2,046 对比
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.111 

阶梯数 价格
50: ¥1.111
100: ¥0.7381
393 对比
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