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AO4485  与  IRF7240PBF  区别

型号 AO4485 IRF7240PBF
唯样编号 A36-AO4485 A-IRF7240PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 180 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@-10A,-10V 15mΩ@10.5A,10V
Rds On(Max)@4.5V 20mΩ -
Qgd(nC) 8.6 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
Td(on)(ns) 9.4 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id -10A 10.5A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 2500 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9250pF
Trr(ns) 38 -
Td(off)(ns) 55 -
漏源极电压Vds -40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 47 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9250pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC
Coss(pF) 260 -
Qg*(nC) 18.6 -
库存与单价
库存 8,813 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.727
100+ :  ¥1.375
750+ :  ¥1.232
1,500+ :  ¥1.166
3,000+ :  ¥1.1
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4485 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55℃~150℃

¥1.727 

阶梯数 价格
30: ¥1.727
100: ¥1.375
750: ¥1.232
1,500: ¥1.166
3,000: ¥1.1
8,813 当前型号
AO4485 UMW  数据手册 功率MOSFET

SOP-8

¥0.7658 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.7658
120,000 对比
AO4485 UMW  数据手册 功率MOSFET

SOP-8

¥1.507 

阶梯数 价格
40: ¥1.507
100: ¥1.155
750: ¥0.9647
1,500: ¥0.8767
3,000: ¥0.8129
5,966 对比
IRF7240TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 15mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 10.5A 40V 8-SO

暂无价格 0 对比
FDS4141 ON Semiconductor 功率MOSFET

10.8A(Ta) ±20V 5W(Ta) 13m Ohms@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 10.8A 13 毫欧 @ 10.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF7240PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 15mΩ@10.5A,10V P-Channel 40V 10.5A 8-SO

暂无价格 0 对比

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