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AO4459  与  IRF7406TRPBF  区别

型号 AO4459 IRF7406TRPBF
唯样编号 A36-AO4459 A-IRF7406TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 2.5 W 59 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 65 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 46mΩ@10V 45mΩ@2.8A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 72mΩ -
Qgd(nC) 2.2 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id -6.5A 5.8A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 520 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1100pF @ 25V
Trr(ns) 11 -
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 5.3 -
VGS(th) -2.4 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1100pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 4.6 -
库存与单价
库存 863 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6578
200+ :  ¥0.5356
暂无价格
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