首页 > 商品目录 > > > > AO4419代替型号比较

AO4419  与  IRF9393TRPBF  区别

型号 AO4419 IRF9393TRPBF
唯样编号 A36-AO4419 A36-IRF9393TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9393TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 125 -
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V 32.5mΩ
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 35mΩ -
引脚数目 - 8
Qgd(nC) 4.6 -
最小栅阈值电压 - 1.3V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 10 -
封装/外壳 SO-8 -
连续漏极电流Id -9.7A 9.2A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1040 -
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V,20V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.2V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1110pF @ 25V
高度 - 1.50mm
Trr(ns) 11.5 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 55 ns
Td(off)(ns) 26 -
漏源极电压Vds -30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W
Qrr(nC) 25 -
晶体管配置 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 16 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
Coss(pF) 180 -
Qg*(nC) 9.6 -
正向跨导 - 13S
库存与单价
库存 8 15,312
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.628
100+ :  ¥1.309
1,000+ :  ¥1.166
2,000+ :  ¥1.0978
4,000+ :  ¥1.045
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 8 当前型号
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.541 

阶梯数 价格
20: ¥2.541
100: ¥2.024
1,000: ¥1.815
2,000: ¥1.716
4,000: ¥1.628
19,741 对比
IRF9393TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5mm

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.309
1,000: ¥1.166
2,000: ¥1.0978
4,000: ¥1.045
15,312 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 4,000 对比
DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0384
2,500: ¥0.88
2,500 对比
BSO200P03S H Infineon 通用MOSFET

BSO200P03SHXUMA1_4.9mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售