AO4419 与 IRF9393TRPBF 区别
| 型号 | AO4419 | IRF9393TRPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AO4419 | A-IRF9393TRPBF | ||||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9393TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Crss(pF) | 125 | - | ||||
| 宽度 | - | 4mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@10V | 32.5mΩ | ||||
| ESD Diode | No | - | ||||
| Rds On(Max)@4.5V | 35mΩ | - | ||||
| 引脚数目 | - | 8 | ||||
| Qgd(nC) | 4.6 | - | ||||
| 最小栅阈值电压 | - | 1.3V | ||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||
| Td(on)(ns) | 10 | - | ||||
| 封装/外壳 | SO-8 | - | ||||
| 连续漏极电流Id | -9.7A | 9.2A | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| Ciss(pF) | 1040 | - | ||||
| 长度 | - | 5mm | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V,20V | ||||
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms | ||||
| 正向二极管电压 | - | 1.2V | ||||
| Schottky Diode | No | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 25µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1110pF @ 25V | ||||
| 高度 | - | 1.50mm | ||||
| Trr(ns) | 11.5 | - | ||||
| 类别 | - | 功率 MOSFET | ||||
| 典型关断延迟时间 | - | 55 ns | ||||
| Td(off)(ns) | 26 | - | ||||
| 漏源极电压Vds | -30V | - | ||||
| 晶体管材料 | - | Si | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | 2.5W | ||||
| Qrr(nC) | 25 | - | ||||
| 晶体管配置 | - | 单 | ||||
| VGS(th) | -2.5 | - | ||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||
| 系列 | - | HEXFET | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 16 ns | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 38nC @ 10V | ||||
| Coss(pF) | 180 | - | ||||
| Qg*(nC) | 9.6 | - | ||||
| 正向跨导 | - | 13S | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 400 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.551
|
400 | 当前型号 | ||||||
|
IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||
|
DMP3036SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.4W(Ta) 20mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 11.4A |
￥1.276
|
859 | 对比 | ||||||
|
IRF7416PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IRF9393TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.2A 32.5mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
IRF9333TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 19.4mΩ@9.2A,10V P-Channel 30V 9.2A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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