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AO4419  与  IRF9392PBF  区别

型号 AO4419 IRF9392PBF
唯样编号 A36-AO4419 A-IRF9392PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 125 -
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 35mΩ -
Qgd(nC) 4.6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1270pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 10 -
封装/外壳 SO-8 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id -9.7A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1040 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12.1 毫欧 @ 7.8A,20V
Vgs(最大值) - ±25V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V,20V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 11.5 -
Td(off)(ns) 26 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
Qrr(nC) 25 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.8A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 180 -
Qg*(nC) 9.6 -
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

暂无价格 1 当前型号
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.4W(Ta) 20mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 11.4A

暂无价格 1 对比
IRF7416PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF9332TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 9.8A 28.1mΩ 2.5W

暂无价格 0 对比
IRF9392PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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