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AO4419  与  IRF9333TRPBF  区别

型号 AO4419 IRF9333TRPBF
唯样编号 A36-AO4419 A-IRF9333TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 125 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V 19.4mΩ@9.2A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 35mΩ -
Qgd(nC) 4.6 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
Td(on)(ns) 10 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id -9.7A 9.2A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1040 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1110pF @ 25V
Trr(ns) 11.5 -
Td(off)(ns) 26 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 25 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1110pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
Coss(pF) 180 -
Qg*(nC) 9.6 -
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

暂无价格 1 当前型号
DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.4W(Ta) 20mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 11.4A

¥1.276 

阶梯数 价格
40: ¥1.276
100: ¥0.9812
1,250: ¥0.8316
2,500: ¥0.77
5,001 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
IRF7416PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF9393TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 9.2A 32.5mΩ 2.5W

暂无价格 0 对比
IRF9333TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 19.4mΩ@9.2A,10V P-Channel 30V 9.2A 8-SO

暂无价格 0 对比

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