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AO4411  与  SI4435DYTRPBF  区别

型号 AO4411 SI4435DYTRPBF
唯样编号 A36-AO4411 A36-SI4435DYTRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 32mΩ@8A,10V 20mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id -8A 8A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2320pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2320pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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