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AO4403  与  IRF9335TRPBF  区别

型号 AO4403 IRF9335TRPBF
唯样编号 A36-AO4403 A3-IRF9335TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 55 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 48mΩ@10V 59mΩ@5.4A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 57mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 80mΩ -
Qgd(nC) 2.5 -
栅极电压Vgs 12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
Td(on)(ns) 6.5 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id -6A 5.4A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 645 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 386pF @ 25V
Trr(ns) 11 -
Td(off)(ns) 41 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 3.5 -
VGS(th) -1.3 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 386pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
Coss(pF) 80 -
Qg*(nC) 7 -
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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