| 型号 | AO4264E | AO4264 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AO4264E | A-AO4264 | ||
| 制造商 | AOS | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | 28 | - | ||
| ESD Diode | Yes | - | ||
| Rds On(Max)@4.5V | 13.5mΩ | - | ||
| Qgd(nC) | 3.5 | - | ||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V | ||
| Td(on)(ns) | 8.5 | - | ||
| 封装/外壳 | SO-8 | SOIC-8 | ||
| 连续漏极电流Id | 13.5A | 12A | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| Ciss(pF) | 1100 | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| Schottky Diode | No | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 9.8mΩ@10V | 11mΩ@12A,10V | ||
| Trr(ns) | 18.5 | - | ||
| Td(off)(ns) | 50 | - | ||
| 功率耗散Pd | 3.1W | 3.1W | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||
| Qrr(nC) | 59 | - | ||
| VGS(th) | 2.4 | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 系列 | - | AO | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2007pF @ 30V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 40nC @ 10V | ||
| Coss(pF) | 300 | - | ||
| Qg*(nC) | 7 | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 73 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO4264E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V 20V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V |
￥1.668
|
73 | 当前型号 | ||||||||
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DMT6009LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.25W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 10.8A(Ta) |
￥3.4428
|
2,294 | 对比 | ||||||||
|
AO4264 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 11mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 60V 12A SOIC-8 3.1W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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