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AO3424  与  DMN3200U-7  区别

型号 AO3424 DMN3200U-7
唯样编号 A36-AO3424-1 A36-DMN3200U-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 18 -
Td(off)(ns) 17.5 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 55mΩ@3.8A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Rds On(Max)@4.5V 65mΩ -
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 650mW(Ta)
Rds On(Max)@2.5V 85mΩ -
Qrr(nC) 2.6 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 90mΩ@2.2A,4.5V
VGS(th) 1.5 -
Qgd(nC) 1.6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 290 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) 3.5 -
封装/外壳 SOT23-3 SOT-23-3
连续漏极电流Id 3.8A 2.2A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃(TJ)
Ciss(pF) 235 -
驱动电压 - 1.5V,4.5V
Trr(ns) 8.5 -
Coss(pF) 35 -
Qg*(nC) 4.7 -
库存与单价
库存 4,466 4,533
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5752
200+ :  ¥0.468
1,500+ :  ¥0.4259
3,000+ :  ¥0.3978
80+ :  ¥0.6765
200+ :  ¥0.5161
1,500+ :  ¥0.4485
3,000+ :  ¥0.3965
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55℃~150℃

¥0.5752 

阶梯数 价格
90: ¥0.5752
200: ¥0.468
1,500: ¥0.4259
3,000: ¥0.3978
4,466 当前型号
MGSF1N02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 142,000 对比
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta)

¥1.661 

阶梯数 价格
40: ¥1.661
100: ¥1.276
750: ¥1.0648
1,500: ¥0.968
3,000: ¥0.8888
5,668 对比
DMN3200U-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.2A(Ta)

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5161
1,500: ¥0.4485
3,000: ¥0.3965
4,533 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 64mΩ@3.6A,10V P-Channel 30V 3.6A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±8V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V N-Channel 20V 2.8A(Ta)

¥0.4214 

阶梯数 价格
1: ¥0.4214
25: ¥0.3631
100: ¥0.313
1,000: ¥0.2699
2,852 对比

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